首頁/研究成果/回上頁

(十月)黃榮俊教授團隊量測鐵磁金屬與拓樸絕緣體薄膜異質結構在室溫下的自旋電荷轉換效率

自旋與電荷之轉換效率對於自旋電子元件中的讀寫功能,以及對低能耗高速元件的研發都是非常重要的課題與關鍵技術。黃榮俊教授團隊研究結果中利用自旋幫浦技術量測鐵磁金屬NiFe和Bi2Se3拓樸絕緣體薄膜異質結構在室溫下的自旋電荷轉換,並藉由銅層插入層來改善其介面,有助於提升自旋電荷轉換效率。

詳見 NANOMATERIALS (2022)