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教授鄭靜 Cheng, Ching

  • 職稱 教授
    姓名 鄭靜 Cheng, Ching
    E-mail ccheng@phys.ncku.edu.tw
  • 電子郵址/Email Address ccheng@phys.ncku.edu.tw
    專長/Expertise 理論固態物理,第一原理計算
  • 學歷 英國劍橋大學博士
    經歷
    • 成大物理 副教授 1990~1997
    • U. Penn. 化學 博士後 1989/8~1990/7
    • Cambridge U. 物理 博士後 1988/1~1989/7
    • Paris VI&VII U. 固體實驗室 訪問學者 1987/10~1987/12
    • Cambridge U. 物理博士 1984/10~1987/9
    • 成大電機學士 1980/9~1984/6
  • 編號 計劃名稱(編號) 執行期間 補助單位 擔任職務
    16 過渡金屬亞鐵氧化物的表面性質第一原理計算研究(1/2) 20030801~20040731 國科會 主持人
    15 矽與二氧化矽的介面物理性質研究(3/3) 20020801~20040131 國科會 主持人
    14 矽與二氧化矽的介面物理性質研究(2/3) 20010801~20020731 國科會 主持人
    13 矽與二氧化矽的介面物理性質研究(1/3) 20000801~20020131 國科會 主持人
    12 PEROVSKITE結構系統與簡單金屬氧化物的介面穩定性與成長(II) 19990801~20010731 國科會 主持人
    11 Perovskite 結構系統與簡單金屬氧化物的介面穩定性與成長 19980801~19991031 國科會 主持人
    10 使用相分離方法探討表面附著原子結構的穩定性 19970801~19981031 國科會 主持人
    9 鎵,砷,鉍在鍺(111)和矽(111)表面的吸附結構(II) 19960801~19971031 國科會 主持人
    8 鎵、砷,鉍在鍺(111)和矽(111)表面的吸附結構 19950801~19970131 國科會 主持人
    7 過渡金屬的電子交互作用 19940801~19950731 國科會 主持人
    6 氫分子於Si(III)(1x1)表面上的吸附研究 19940201~19950731 國科會 主持人
    5 矽單層摻雜砷化鎵中量子計算研究 19930801~19940731 國科會 主持人
    4 矽(III)表面氫化學吸附的量子計算研究 19930201~19940228 國科會 主持人
    3 III A 族金屬在鍺表面低層覆貌熄q子計算研究(II) 19920801~19930731 國科會 主持人
    2 矽 表面氫化學吸附的量子計算研究-1/2 19920201~19930131 國科會 主持人
    1 IIIA族潹屬在鍺表面低層覆貌熄q子計算研究 19910201~19920731 國科會 主持人
  • 1. Uniaxial phase transition in Si: Ab initio calculations
    C. Cheng
    Phys. Rev. B 67 134109 (2003)

    2. SrTiO3/MgO(001) and MgO/SrTiO3(001) systems : Energetics and stresses
    C. Cheng, K. Kunc, G. Kresse and J. Hafner
    Phys. Rev. B 66 085419 (2002)

    3. Thermodynamics of uniaxial phase transition:Ab initio study of diamond- to-bSn transition in Si and Ge
    C. Cheng, W. H. Huang and H. J. Li
    Phys. Rev. B 63 153202 (2001)

    4. Structural Relaxation and Longitudinal Dipole Moment of SrTiO3(001)(1x1) Surfaces
    C. Cheng, K. Kunc and M. H. Lee
    Phys. Rev. B 62 10409 (2000)
  • 學年 姓名 服務單位 期別 類別 代表作名稱
    80 鄭靜 成大物理 第一期 甲種 邊界間作用力和碳化矽複型體的由來
    81 鄭靜 成大物理 第一期 甲種 IIIA族金屬在鍺表面低層覆辣q子計算研究(II)